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价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: INFINEON IPD100N04S4-02 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0017 ohm, 10 V, 3 V82365-49￥13.864550-199￥13.2720200-499￥12.9402500-999￥12.85731000-2499￥12.77432500-4999￥12.67955000-7499￥12.6203≥7500￥12.5610 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPB180N06S4-H1 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V86965-49￥18.684950-199￥17.8864200-499￥17.4392500-999￥17.32751000-2499￥17.21572500-4999￥17.08795000-7499￥17.0081≥7500￥16.9282 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准）37385-49￥15.233450-199￥14.5824200-499￥14.2178500-999￥14.12671000-2499￥14.03562500-4999￥13.93145000-7499￥13.8663≥7500￥13.8012 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC320N20NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 200 V, 0.027 ohm, 10 V, 3 V78525-24￥6.196525-49￥5.737550-99￥5.4162100-499￥5.2785500-2499￥5.18672500-4999￥5.07205000-9999￥5.0261≥10000￥4.9572 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSS138N H6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 3.5 ohm, 10 V, 1 V338320-49￥0.270050-99￥0.2500100-299￥0.2400300-499￥0.2320500-999￥0.22601000-4999￥0.22205000-9999￥0.2180≥10000￥0.2140 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™ 双电源 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能75945-24￥1.741525-49￥1.612550-99￥1.5222100-499￥1.4835500-2499￥1.45772500-4999￥1.42555000-9999￥1.4126≥10000￥1.3932 -
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品类: MOS管描述: Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能305820-49￥0.580550-99￥0.5375100-299￥0.5160300-499￥0.4988500-999￥0.48591000-4999￥0.47735000-9999￥0.4687≥10000￥0.4601 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT模块 BSM100GB60DLC94851-9￥439.300010-49￥427.840050-99￥419.0540100-199￥415.9980200-499￥413.7060500-999￥410.65001000-1999￥408.7400≥2000￥406.8300 -
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品类: MOS管描述: MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能766110-99￥6.4560100-499￥6.1332500-999￥5.91801000-1999￥5.90722000-4999￥5.86425000-7499￥5.81047500-9999￥5.7674≥10000￥5.7458 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能54625-24￥4.293025-49￥3.975050-99￥3.7524100-499￥3.6570500-2499￥3.59342500-4999￥3.51395000-9999￥3.4821≥10000￥3.4344 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能57585-24￥6.412525-49￥5.937550-99￥5.6050100-499￥5.4625500-2499￥5.36752500-4999￥5.24885000-9999￥5.2013≥10000￥5.1300 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC054N04NS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 40 V, 4.5 mohm, 10 V, 2 V16525-24￥4.306525-49￥3.987550-99￥3.7642100-499￥3.6685500-2499￥3.60472500-4999￥3.52505000-9999￥3.4931≥10000￥3.4452 -
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品类: MOS管描述: P 沟道 150 V 0.295 Ω 110 W 表面贴装 汽车级 Mosfet - TO-252 (DPAK)47615-49￥12.881750-199￥12.3312200-499￥12.0229500-999￥11.94591000-2499￥11.86882500-4999￥11.78075000-7499￥11.7257≥7500￥11.6706 -
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品类: MOS管描述: INFINEON AUIRF7759L2TR 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 160 A, 75 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3 V 新7150 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRF4905PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -74 A, -55 V, 20 mohm, -10 V, -4 V67495-24￥3.010525-49￥2.787550-99￥2.6314100-499￥2.5645500-2499￥2.51992500-4999￥2.46425000-9999￥2.4419≥10000￥2.4084 -
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品类: MOS管描述: INFINEON SPD15P10PL G 晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -100 V, 0.14 ohm, -10 V, -1.5 V38695-24￥6.372025-49￥5.900050-99￥5.5696100-499￥5.4280500-2499￥5.33362500-4999￥5.21565000-9999￥5.1684≥10000￥5.0976 -
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品类: IGBT晶体管描述: Co-Pack IGBT 超过 21A，Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。11415-49￥19.971950-199￥19.1184200-499￥18.6404500-999￥18.52101000-2499￥18.40152500-4999￥18.26495000-7499￥18.1796≥7500￥18.0942 -
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品类: MOS管描述: P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-364715-24￥2.686525-49￥2.487550-99￥2.3482100-499￥2.2885500-2499￥2.24872500-4999￥2.19905000-9999￥2.1791≥10000￥2.1492 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRLML6402PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 65 mohm, -4.5 V, -550 mV17075-24￥2.119525-49￥1.962550-99￥1.8526100-499￥1.8055500-2499￥1.77412500-4999￥1.73495000-9999￥1.7192≥10000￥1.6956 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 超过 21A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。51221-9￥1016.845810-49￥981.167050-99￥976.7072100-149￥972.2473150-249￥965.1115250-499￥958.8678500-999￥952.6240≥1000￥945.4882 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4PC40WPBF 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚87435-49￥28.758650-199￥27.5296200-499￥26.8414500-999￥26.66931000-2499￥26.49722500-4999￥26.30065000-7499￥26.1777≥7500￥26.0548 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4PF50WPBF 单晶体管, IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚58361-9￥384.008010-49￥373.990450-99￥366.3102100-199￥363.6389200-499￥361.6354500-999￥358.96401000-1999￥357.2944≥2000￥355.6248 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4BC30WPBF 单晶体管, IGBT, 23 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚70195-49￥12.460550-199￥11.9280200-499￥11.6298500-999￥11.55531000-2499￥11.48072500-4999￥11.39555000-7499￥11.3423≥7500￥11.2890 -
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品类: MOS管描述: P 通道功率 MOSFET 超过 8A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。85035-24￥4.549525-49￥4.212550-99￥3.9766100-499￥3.8755500-2499￥3.80812500-4999￥3.72395000-9999￥3.6902≥10000￥3.6396 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。71461-9￥55.107410-99￥51.9455100-249￥49.5967250-499￥49.2353500-999￥48.87391000-2499￥48.46742500-4999￥48.1061≥5000￥47.8802 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。40275-24￥5.805025-49￥5.375050-99￥5.0740100-499￥4.9450500-2499￥4.85902500-4999￥4.75155000-9999￥4.7085≥10000￥4.6440 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。87985-49￥19.773050-199￥18.9280200-499￥18.4548500-999￥18.33651000-2499￥18.21822500-4999￥18.08305000-7499￥17.9985≥7500￥17.9140 -
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品类: MOS管描述: IRF9956TRPBF 编带68715-24￥2.484025-49￥2.300050-99￥2.1712100-499￥2.1160500-2499￥2.07922500-4999￥2.03325000-9999￥2.0148≥10000￥1.9872 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFB4310ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 127 A, 100 V, 0.0056 ohm, 20 V, 4 V84265-24￥6.453025-49￥5.975050-99￥5.6404100-499￥5.4970500-2499￥5.40142500-4999￥5.28195000-9999￥5.2341≥10000￥5.1624
